| 型号：SIS412DN-T1-GE3 | 类别：FET - 单 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：PowerPAK? 1212-8 | 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 12A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 24 毫欧 @ 7.8A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 12nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 435pF @ 15V |
| 功率_最大 | 15.6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
| 深圳市晶美隆科技有限公司 | 李林0755- 82519391 0755-83209630 |
| 锦迅科技(香港)有限公司 | 马小姐086-0755-83226745/82584980 |
| 深圳市展鹏富裕科技有限公司 | 陈丹0755-82573702 |
| 深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
| 深圳市鑫晟源电子科技有限公司 | 赖0755-83538837 |
| 深圳宇邦高科技有限公司 | 朱小姐0755-82524712 0755-82525400 |
| 深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
| 深圳市川蓝电子科技有限公司 | 彭小姐0755-82522939 |
| 深圳市科翼源电子有限公司 | 朱小姐13510998172 |
SIS412DN-T1-GE3相关型号
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TO-220-5
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CONV DC/DC 20W 9-18VIN 15VOUT
- RW1S5CAR200J
芯片电阻 - 表面安装
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3916 J 形引线
RES POWER .200 OHM 1.5W 5% SMT
- SM02B-SFHLS-TF(LF)(SN)
矩形- 接头，公引脚
JST Sales America Inc
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- MIC2920A-3.3BS TR
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TO-261-4，TO-261AA
IC REG LDO 3.3V .4A SOT223
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- RP20-1215SF/N
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